Références fabricant

Diode AEC-Q101 Nexperia, Simple, 400 mA 250 V, 3 broches, SOT-23

Code commande RS:: 170-7992
Référence fabricant:: BAS21,235
Marque:: Nexperia

Diode AEC-Q101 Nexperia, Simple, 400 mA 250 V, 3 broches, SOT-23

Sous-total (1 bobine de 10000 unités)*

310,00 €

370,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
10000 +	0,031 €	310,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 170-7992
Référence fabricant:: BAS21,235
Marque:: Nexperia

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Configuration de diode	Simple
	Type de produit	Diode
	Courant direct maximum If	400mA
	Type de montage	Surface
	Sous type	Diode de commutation
	Type de Boitier	SOT-23
	Nombre de broches	3
	Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm	2.5A
	Tension inverse de crête répétitive Vrrm	250V
	Dissipation de puissance maximum Pd	250mW
	Temps de recouvrement inverse crête trr	4ns
	Tension directe maximale Vf	1.25V
	Température minimum de fonctionnement	-65°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	3mm
	Hauteur	1mm
	Série	BAS21
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Configuration de diode Simple
	Type de produit Diode
	Courant direct maximum If 400mA
	Type de montage Surface
	Sous type Diode de commutation
	Type de Boitier SOT-23
	Nombre de broches 3
	Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 2.5A
	Tension inverse de crête répétitive Vrrm 250V
	Dissipation de puissance maximum Pd 250mW
	Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns
	Tension directe maximale Vf 1.25V
	Température minimum de fonctionnement -65°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 3mm
	Hauteur 1mm
	Série BAS21
	Normes/homologations No
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Solutions pour les systèmes haute tension. Fabriquées en technologie planaire, nos diodes ≥ 100 V offrent une vitesse de commutation jusqu'à 4 ns (max.). Elles prennent en charge les conceptions de circuit haute densité personnalisées, encapsulées dans un boîtier scellé hermétiquement.

Diode de commutation haute tension, encapsulée dans un petit boîtier en plastique SOT23 à montage en surface (CMS).

Grande vitesse de commutation : trr ≤50 ns

Faible courant de fuite

Tension inverse VR ≤ 200 V

Faible capacité : Cd ≤5 pF

Petit boîtier plastique CMS

Applications

Commutation ultrarapide à haute tension

Commutation haute tension à usage général

Blocage de tension

Protection contre les inversions de polarité

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