Diode Schottky AEC-Q101 STMicroelectronics, Simple, 30 A 650 V, 2 broches, H2PAK
- Code commande RS:
- 800-470
- Référence fabricant:
- STPSC30G065G2Y
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 800-470
- Référence fabricant:
- STPSC30G065G2Y
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant direct maximum If | 30A | |
| Type de produit | Diode Schottky | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sous type | Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) | |
| Type de Boitier | H2PAK | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Tension directe maximale Vf | 1.3V | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 650V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 200A | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Diamètre | 3.85mm | |
| Hauteur | 15.8mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Série | STPSC30G065G2Y | |
| Normes/homologations | ECOPACK2 | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant direct maximum If 30A | ||
Type de produit Diode Schottky | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de montage Traversant | ||
Sous type Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) | ||
Type de Boitier H2PAK | ||
Nombre de broches 2 | ||
Tension directe maximale Vf 1.3V | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 650V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 200A | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Diamètre 3.85mm | ||
Hauteur 15.8mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Série STPSC30G065G2Y | ||
Normes/homologations ECOPACK2 | ||
Largeur 4.7mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le redresseur Schottky de puissance ultra haute performance de STMicroelectronics. Il est fabriqué à partir d'un substrat de carbure de silicium. Le matériau à large écartement de bande permet la conception d'une structure de diode Schottky à faible VF avec une valeur nominale de 650 V.
Homologué AEC-Q101 et compatible PPAP
Aucune charge de récupération inverse dans la plage de courant d'application
Comportement de commutation indépendant de la température
Capacité de surtension élevée
Fonctionnement Tj de -55 °C à +175 °C
Composant conforme à ECOPACK2
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