Jonction au silicium Non STMicroelectronics, Simple, 8 A 1.2 kV, 3 broches, TO-263

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Code commande RS:
165-6553
Référence fabricant:
STTH812G-TR
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant direct maximum If

8A

Configuration de diode

Simple

Type de produit

Jonction au silicium

Sous type

Jonction au silicium

Type de montage

En surface

Type de Boitier

TO-263

Nombre de broches

3

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

1.2kV

Temps de recouvrement inverse crête trr

50ns

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Tension directe maximale Vf

2.2V

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

100A

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.4mm

Hauteur

4.6mm

Largeur

9.35mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Diodes de redressement, 4 à 9 A, STMicroelectronics


Diodes et redresseurs, STMicroelectronics


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