Jonction au silicium Non STMicroelectronics, Simple, 8 A 1200 V, 3 broches, TO-263

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795-9126
Référence fabricant:
STTH812G-TR
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

Jonction au silicium

Courant direct maximum If

8A

Configuration de diode

Simple

Type de montage

Surface

Sous type

Jonction au silicium

Type de Boitier

TO-263

Nombre de broches

3

Temps de recouvrement inverse crête trr

50ns

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

100A

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

1200V

Tension directe maximale Vf

2.2V

Température minimum de fonctionnement

-65°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

9.35 mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Hauteur

4.6mm

Standard automobile

Non

Diodes de redressement, 4 à 9 A, STMicroelectronics


Diodes et redresseurs, STMicroelectronics


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