Jonction au silicium Non Vishay, Simple, 200 mA 250 mV, 2 broches, DO-35
- Code commande RS:
- 169-6106
- Référence fabricant:
- BAV21-TAP
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 50000 unités)*
2 200,00 €
HT
2 650,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 50 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 50000 + | 0,044 € | 2 200,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 169-6106
- Référence fabricant:
- BAV21-TAP
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 200mA | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | DO-35 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 1A | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 250mV | |
| Température minimum de fonctionnemen | -65°C | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 50ns | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250mW | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 3.9mm | |
| Largeur | 1.7mm | |
| Hauteur | 1.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 200mA | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier DO-35 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 1A | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 250mV | ||
Température minimum de fonctionnemen -65°C | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 50ns | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250mW | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 3.9mm | ||
Largeur 1.7mm | ||
Hauteur 1.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Datasheet
- Application Note- Design Guidelines for Schottky Rectifiers
- Diodes Group Body Marking
- Application Note- Fundamentals of Rectifiers
- Application Note- High Speed Data Line Protection
- Application Note- Physical Explanation
- Application Note- Power Factor Correction with Ultrafast Diodes
- Application Note- Rectifiers for Power Factor Correction
- Application Note- Superectifier Design Brings New Level of Reliability to Surface Mount Comp
- Application Note- Trim and Form Process Reccomendation
- Product Change Notification
- Pays d'origine :
- CN
Redresseur en plastique à commutation rapide à jonction passivée en verre
Fonctionnalités
Structure de superredresseur pour des conditions de fiabilité élevées
• Jonction passivée au verre sans cavité
Commutation rapide pour un haut rendement
• Faible courant de fuite, IR typique inférieur à 0,2 μA
• Capacité de surtension élevée
• Souder à 275 °C pendant 10 s max., conformément à la norme JESD 22-B106
Applications types
Rectification haute tension de grille G2 CRT et TV, snubber
Circuit de la mémoire Flash de l'appareil photo.
Données mécaniques
Boîtier : DO-204AL, époxy moulé sur corps en verre
La pâte de moulage est conforme à la norme d'inflammabilité UL 94 V-0
Base P/N-E3 - conforme à la directive RoHS, classe commerciale
Bornes : cordons étamés mat, soudables par
J-STD-002 et JESD 22-B102
Le suffixe E3 est conforme au test de chuchotement JESD 201 classe 1A.
Polarité : la bande de couleur indique l'extrémité de la cathode
Diodes et redresseurs, Vishay Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium Non Vishay 200 mA 250 mV DO-35
- Diode à faibles signaux Non Taiwan Semiconductor 200 mA 250 mV DO-35
- Jonction au silicium Non Vishay 300 mA 75 V DO-35
- Jonction au silicium Non Vishay 250 mA 250 mV MiniMELF
- Jonction au silicium Non onsemi 200 mA DO-35
- Jonction au silicium Non Vishay 300 mA 100 V DO-35
- Jonction au silicium Non Nexperia 250 mA 125 V DO-34
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 150 mA 100 V DO-35