Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor, Simple, 150 mA 75 V, 2 broches, TSOP
- Code commande RS:
- 169-8965
- Référence fabricant:
- TS4148 RXG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
130,00 €
HT
155,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 5 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 30 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 04 novembre 2026
- 20 000 unité(s) finale(s) expédiée(s) à partir du 08 février 2027
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,026 € | 130,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 169-8965
- Référence fabricant:
- TS4148 RXG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Taiwan Semiconductor | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Courant direct maximum If | 150mA | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de montage | En surface | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | TSOP | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 5ns | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 75V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 2A | |
| Température minimum de fonctionnemen | -65°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3.4mm | |
| Hauteur | 950μm | |
| Largeur | 1.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Taiwan Semiconductor | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Courant direct maximum If 150mA | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de montage En surface | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier TSOP | ||
Nombre de broches 2 | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 5ns | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 75V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 2A | ||
Température minimum de fonctionnemen -65°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3.4mm | ||
Hauteur 950μm | ||
Largeur 1.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
Diodes de commutation petits signaux, Taiwan Semiconductor
Diodes et redresseurs, Taiwan Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 0.15 A 75 V TSOP
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 150 A 100 V MiniMELF
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 150 mA 100 V DO-35
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 1 A 600 V Sub SMA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 3 A 200 V DO-214AA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 2 A 200 V DO-214AA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 0.5 A 200 V Sub SMA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 3 A 400 V DO-214AA