Jonction au silicium Non Vishay, Simple, 600 mA 50 V, 2 broches, SMB
- Code commande RS:
- 177-7597
- Référence fabricant:
- LL4150GS08
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
55,00 €
HT
65,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 10 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,022 € | 55,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 177-7597
- Référence fabricant:
- LL4150GS08
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 600mA | |
| Type de montage | Surface | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | SMB | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 4A | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 50V | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 1.6mm | |
| Série | LL4150 | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 600mA | ||
Type de montage Surface | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier SMB | ||
Nombre de broches 2 | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 4A | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 50V | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 1.6mm | ||
Série LL4150 | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Redresseur en plastique à commutation rapide à jonction passivée en verre
Fonctionnalités
Structure de superredresseur pour des conditions de fiabilité élevées
• Jonction passivée au verre sans cavité
Commutation rapide pour un haut rendement
• Faible courant de fuite, IR typique inférieur à 0,2 μA
• Capacité de surtension élevée
• Souder à 275 °C pendant 10 s max., conformément à la norme JESD 22-B106
Applications types
Rectification haute tension de grille G2 CRT et TV, snubber
Circuit de la mémoire Flash de l'appareil photo.
Données mécaniques
Boîtier : DO-204AL, époxy moulé sur corps en verre
La pâte de moulage est conforme à la norme d'inflammabilité UL 94 V-0
Base P/N-E3 - conforme à la directive RoHS, classe commerciale
Bornes : cordons étamés mat, soudables par
J-STD-002 et JESD 22-B102
Le suffixe E3 est conforme au test de chuchotement JESD 201 classe 1A.
Polarité : la bande de couleur indique l'extrémité de la cathode
Diodes et redresseurs, Vishay Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium Non Vishay 600 mA 50 V SMB
- Jonction au silicium Non Vishay 1 A 600 V SMP
- Jonction au silicium Non Vishay 1 A 600 V SMA
- Jonction au silicium Non Vishay 200 mA 50 V MicroMELF
- Jonction au silicium Non Vishay 2 A 600 V DO-214AA
- Jonction au silicium Non Vishay 300 mA 50 V SOD-80
- Jonction au silicium Non Vishay 5 A 600 V DO-214AA
- Jonction au silicium Non Vishay 3 A 600 V DO-201AD