Jonction au silicium AEC-Q101 Vishay, Simple, 300 mA 75 V, 2 broches, SOD-80
- Code commande RS:
- 180-7144
- Référence fabricant:
- LL4148-M-08
- Marque:
- Vishay
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-7144
- Référence fabricant:
- LL4148-M-08
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Courant direct maximum If | 300mA | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de montage | Surface | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | SOD-80 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 8ns | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 2A | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 75V | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Diamètre | 1.6 mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | LL4148 | |
| Largeur | 1.6 mm | |
| Hauteur | 3.7mm | |
| Longueur | 1.6mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Courant direct maximum If 300mA | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de montage Surface | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier SOD-80 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 8ns | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 2A | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 75V | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Diamètre 1.6 mm | ||
Normes/homologations No | ||
Série LL4148 | ||
Largeur 1.6 mm | ||
Hauteur 3.7mm | ||
Longueur 1.6mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Diodes planaires épitaxiales au silicium
APPLICATIONS :
Commutations extrêmement rapides