Diode de commutation Non Vishay, Diode à faibles signaux, 300 mA 50 V, 2 broches, DO-35
- Code commande RS:
- 180-8180
- Référence fabricant:
- 1N4151TR
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-8180
- Référence fabricant:
- 1N4151TR
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Courant direct maximum If | 300mA | |
| Configuration de diode | Diode à faibles signaux | |
| Type de produit | Diode de commutation | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sous type | Diode de silicium | |
| Type de Boitier | DO-35 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 2A | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 50V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.7mm | |
| Longueur | 3.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Courant direct maximum If 300mA | ||
Configuration de diode Diode à faibles signaux | ||
Type de produit Diode de commutation | ||
Type de montage Traversant | ||
Sous type Diode de silicium | ||
Type de Boitier DO-35 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 2A | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 50V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.7mm | ||
Longueur 3.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La diode de commutation rapide à petit signal Vishay est dotée de 2 broches et de la technologie de diode en silicone avec un courant avant maximum de 300 mA et une tension inverse maximum de 50 V.
Diode planaire épitaxiale au silicium
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