Références fabricant

Diode de silicium Non Vishay, Simple, 200 mA 200 V, 3 broches, SOT-23

Code commande RS:: 180-8202
Référence fabricant:: BAS21-E3-08
Marque:: Vishay

Diode de silicium Non Vishay, Simple, 200 mA 200 V, 3 broches, SOT-23

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

111,00 €

132,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

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Expédition à partir du 17 juin 2026

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 - 3000	0,037 €	111,00 €
6000 - 12000	0,035 €	105,00 €
15000 +	0,033 €	99,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 180-8202
Référence fabricant:: BAS21-E3-08
Marque:: Vishay

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Configuration de diode	Simple
	Type de produit	Diode de silicium
	Courant direct maximum If	200mA
	Type de montage	Surface
	Sous type	Diode de silicium
	Type de Boitier	SOT-23
	Nombre de broches	3
	Tension inverse de crête répétitive Vrrm	200V
	Dissipation de puissance maximum Pd	250mW
	Temps de recouvrement inverse crête trr	50ns
	Température minimum de fonctionnement	-65°C
	Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm	2.5A
	Tension directe maximale Vf	1.25V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	3.1mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	1.15mm
	Largeur	2.6 mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Configuration de diode Simple
	Type de produit Diode de silicium
	Courant direct maximum If 200mA
	Type de montage Surface
	Sous type Diode de silicium
	Type de Boitier SOT-23
	Nombre de broches 3
	Tension inverse de crête répétitive Vrrm 200V
	Dissipation de puissance maximum Pd 250mW
	Temps de recouvrement inverse crête trr 50ns
	Température minimum de fonctionnement -65°C
	Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 2.5A
	Tension directe maximale Vf 1.25V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 3.1mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 1.15mm
	Largeur 2.6 mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Diode de commutation Vishay

La diode de commutation Vishay est dotée d'une tension électrique nominale de 250 V inverse et d'un courant inverse de 100 nA. Une diode de commutation est un dispositif de jonction PN à deux bornes qui peut être utilisé pour commuter des signaux ou agir comme un redresseur à basses tensions. Il est doté d'un courant direct de 200 mA et d'une tension directe de 1,25 V.

Caractéristiques et avantages

Il s'agit d'un dispositif de commutation rapide à petit signal épitaxial en silicium

Le type de marquage est A82

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.

• La dissipation de puissance est de 250 mW

Le temps de récupération est de 50 ns

• Dispositif de montage en surface

Applications

• Dispositifs de commutation rapide

Certifications

AEC-Q101

Certifié de niveau E3