Diode Non Infineon, Simple, 80 A 650 V, 3 broches, TO-247
- Code commande RS:
- 218-4381
- Référence fabricant:
- IDW80C65D1XKSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
70,86 €
HT
85,02 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 2 400 unité(s) expédiée(s) à partir du 25 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 2,362 € | 70,86 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 218-4381
- Référence fabricant:
- IDW80C65D1XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Diode | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 80A | |
| Sous type | Diode commandée par l'émetteur | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 77ns | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 179W | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 320A | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension directe maximale Vf | 1.35V | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 650V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | JEDEC | |
| Hauteur | 41.42mm | |
| Série | IDW80C65D1 | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Diode | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 80A | ||
Sous type Diode commandée par l'émetteur | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 77ns | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 179W | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 320A | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension directe maximale Vf 1.35V | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 650V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations JEDEC | ||
Hauteur 41.42mm | ||
Série IDW80C65D1 | ||
Longueur 16.13mm | ||
Standard automobile Non | ||
La diode silicium d'alimentation de contrôleur d'émetteur à découpage Infineon Rapid 1 en configuration de cathode commune et dans un boîtier TO-247, permettant une optimisation de la conception pour des dimensions plus compactes, un assemblage plus facile et donc des coûts plus faibles. Il est utilisé dans diverses applications telles que les télécommunications, les onduleurs, le soudage, l'adaptateur, les appareils ménagers et l'air conditionné. Il est doté d'un courant direct de 80 A.
Tension directe stable à la température de 1,35 V.
Facteur de douceur le plus élevé pour une douceur ultime et un faible filtrage IEM
Faible charge de récupération inverse
Faible courant de récupération inverse
Pour les applications de commutation entre 18 kHz et 40 kHz
Nos clients ont également consulté
- Diode Non Infineon 80 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 80 A 650 V TO-247
- Diode Non Infineon 60 A 650 V TO-247
- Diode rapide Non Infineon 320 A 650 V PG-TO-247
- Diode Schottky et de redressement Infineon Simple , 10 A Traversant 3 broches TO-247
- Diode Schottky et de redressement Infineon Simple , 20 A Traversant 3 broches TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 30 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 40 A 650 V TO-247
