Jonction au silicium Non Infineon, Simple, 60 A 650 V, 3 broches, TO-247
- Code commande RS:
- 914-0205
- Référence fabricant:
- IDW30E65D1FKSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
14,38 €
HT
17,26 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 50 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 + | 1,438 € | 14,38 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 914-0205
- Référence fabricant:
- IDW30E65D1FKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant direct maximum If | 60A | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 650V | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 154ns | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 142W | |
| Tension directe maximale Vf | 1.7V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 240A | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Largeur | 5.21 mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant direct maximum If 60A | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Configuration de diode Simple | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 650V | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 154ns | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 142W | ||
Tension directe maximale Vf 1.7V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 240A | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Longueur 16.13mm | ||
Largeur 5.21 mm | ||
Standard automobile Non | ||
Diodes contrôlées par des émetteurs à commutation, Infineon
Les diodes contrôlées par émetteurs à commutation, d'Infineon, regroupent les familles Rapid 1 et Rapid 2 ainsi que les diodes ultra-souples de 600 V/1 200 V. Les diodes fonctionnent dans diverses applications (télécommunications, systèmes d'alimentation sans coupure, soudure, c.a.-c.c.), et la version ultra-souple convient pour les applications à entraînement de moteur jusqu'à 30 kHz.
La diode Rapid 1 commute entre 18et 40 kHz.
Tension directe à température stable 1,35 V
Idéal pour les topologies de correction du facteur de puissance (PFC)
La diode Rapid 2 commute entre 40et 100 kHz.
Faible charge de recouvrement inverse : rapport de tension directe pour performance BiC
Temps de récupération inverse réduit
Faibles pertes d'activation sur le commutateur d'amplification
Diode ultra-rapide 600 V/1 200 V à technologie de contrôle par émetteurs
Homologué selon la norme JEDEC
Bon comportement EMI
Faibles pertes de conduction
Mise en parallèle facile