Jonction au silicium Non Infineon, Simple, 80 A 650 V, 3 broches, TO-247

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218-4384
Référence fabricant:
IDW80C65D2XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant direct maximum If

80A

Type de produit

Jonction au silicium

Configuration de diode

Simple

Type de montage

Traversant

Sous type

Jonction au silicium

Type de Boitier

TO-247

Nombre de broches

3

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

650V

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

250A

Temps de recouvrement inverse crête trr

36ns

Dissipation de puissance maximum Pd

180W

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension directe maximale Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

JEDEC

Largeur

5.21mm

Série

IDW80C65D2

Longueur

16.13mm

Hauteur

41.42mm

Standard automobile

Non

La diode silicium d'alimentation de contrôleur d'émetteur à découpage Infineon Rapid 1 en configuration de cathode commune et dans un boîtier TO-247, permettant une optimisation de la conception pour des dimensions plus compactes, un assemblage plus facile et donc des coûts plus faibles. Il est utilisé dans diverses applications telles que les télécommunications, les onduleurs, le soudage, l'adaptateur, les appareils ménagers et l'air conditionné. Il est doté d'un courant direct de 80 A.

Tension directe stable à la température de 1,35 V.

Facteur de douceur le plus élevé pour une douceur ultime et un faible filtrage IEM

Faible charge de récupération inverse

Faible courant de récupération inverse

Pour les applications de commutation entre 18 kHz et 40 kHz

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