Jonction au silicium Non Infineon, Simple, 80 A 650 V, 2 broches, TO-220
- Code commande RS:
- 145-8760
- Référence fabricant:
- IDP40E65D2XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 + | 1,332 € | 66,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 145-8760
- Référence fabricant:
- IDP40E65D2XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 80A | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 200W | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 250A | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 650V | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 83ns | |
| Tension directe maximale Vf | 2.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 15.95mm | |
| Longueur | 10.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 80A | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 200W | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 250A | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 650V | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 83ns | ||
Tension directe maximale Vf 2.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 15.95mm | ||
Longueur 10.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Diodes contrôlées par des émetteurs à commutation, Infineon
Les diodes contrôlées par émetteurs à commutation, d'Infineon, regroupent les familles Rapid 1 et Rapid 2 ainsi que les diodes ultra-souples de 600 V/1 200 V. Les diodes fonctionnent dans diverses applications (télécommunications, systèmes d'alimentation sans coupure, soudure, c.a.-c.c.), et la version ultra-souple convient pour les applications à entraînement de moteur jusqu'à 30 kHz.
La diode Rapid 1 commute entre 18et 40 kHz.
Tension directe à température stable 1,35 V
Idéal pour les topologies de correction du facteur de puissance (PFC)
La diode Rapid 2 commute entre 40et 100 kHz.
Faible charge de recouvrement inverse : rapport de tension directe pour performance BiC
Temps de récupération inverse réduit
Faibles pertes d'activation sur le commutateur d'amplification
Diode ultra-rapide 600 V/1 200 V à technologie de contrôle par émetteurs
Homologué selon la norme JEDEC
Bon comportement EMI
Faibles pertes de conduction
Mise en parallèle facile
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