Jonction au silicium Non Infineon, Simple, 80 A 650 V, 2 broches, TO-220
- Code commande RS:
- 110-7096
- Référence fabricant:
- IDP40E65D2XKSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
9,40 €
HT
11,30 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 2 330 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,94 € | 9,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 110-7096
- Référence fabricant:
- IDP40E65D2XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 80A | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 650V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 250A | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 200W | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 83ns | |
| Tension directe maximale Vf | 2.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 15.95mm | |
| Largeur | 4.5 mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 80A | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 650V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 250A | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 200W | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 83ns | ||
Tension directe maximale Vf 2.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 15.95mm | ||
Largeur 4.5 mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
Diodes contrôlées par des émetteurs à commutation, Infineon
Les diodes contrôlées par émetteurs à commutation, d'Infineon, regroupent les familles Rapid 1 et Rapid 2 ainsi que les diodes ultra-souples de 600 V/1 200 V. Les diodes fonctionnent dans diverses applications (télécommunications, systèmes d'alimentation sans coupure, soudure, c.a.-c.c.), et la version ultra-souple convient pour les applications à entraînement de moteur jusqu'à 30 kHz.
La diode Rapid 1 commute entre 18et 40 kHz.
Tension directe à température stable 1,35 V
Idéal pour les topologies de correction du facteur de puissance (PFC)
La diode Rapid 2 commute entre 40et 100 kHz.
Faible charge de recouvrement inverse : rapport de tension directe pour performance BiC
Temps de récupération inverse réduit
Faibles pertes d'activation sur le commutateur d'amplification
Diode ultra-rapide 600 V/1 200 V à technologie de contrôle par émetteurs
Homologué selon la norme JEDEC
Bon comportement EMI
Faibles pertes de conduction
Mise en parallèle facile
Diodes et redresseurs, Infineon
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium Non Infineon 80 A 650 V TO-220
- Jonction au silicium Non Infineon 80 A 650 V TO-247
- Diode de silicium Non Infineon 7.5 A 650 V TO-220
- Jonction au silicium Non Infineon 60 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 40 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 75 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 15 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 30 A 650 V TO-247