Jonction au silicium Non Infineon, Simple, 75 A 650 V, 3 broches, TO-247
- Code commande RS:
- 218-4378
- Référence fabricant:
- IDW75D65D1XKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
56,16 €
HT
67,38 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 180 unité(s) expédiée(s) à partir du 30 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 1,872 € | 56,16 € |
| 60 - 120 | 1,778 € | 53,34 € |
| 150 - 270 | 1,704 € | 51,12 € |
| 300 - 570 | 1,629 € | 48,87 € |
| 600 + | 1,516 € | 45,48 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 218-4378
- Référence fabricant:
- IDW75D65D1XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 75A | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 108ns | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension directe maximale Vf | 1.35V | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 650V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 580A | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 326W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Série | D75ED1 | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 5.21 mm | |
| Hauteur | 41.42mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 75A | ||
Type de montage Traversant | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 108ns | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension directe maximale Vf 1.35V | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 650V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 580A | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 326W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 16.13mm | ||
Série D75ED1 | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 5.21 mm | ||
Hauteur 41.42mm | ||
Standard automobile Non | ||
La diode de silicium d'alimentation de contrôleur d'émetteur à découpage série Infineon Rapid 1 en configuration à double anode et dans un boîtier TO-247, permettant une optimisation de la conception pour des dimensions plus compactes, un assemblage plus facile et donc des coûts plus faibles. Il est utilisé dans diverses applications telles que les télécommunications, les onduleurs, le soudage, l'adaptateur, les appareils ménagers et l'air conditionné. Il est doté d'un courant direct de 150 A.
Tension directe stable à la température de 1,35 V.
Facteur de douceur le plus élevé pour une douceur ultime et un faible filtrage IEM
Faible charge de récupération inverse
Faible courant de récupération inverse
Pour les applications de commutation entre 18 kHz et 40 kHz
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium Non Infineon 75 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 80 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 60 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 40 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 15 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 30 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 30 A 600 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 80 A 650 V TO-220