Diode de silicium Non Infineon, Simple, 7.5 A 650 V, 2 broches, TO-220
- Code commande RS:
- 914-0201
- Référence fabricant:
- IDV15E65D2XKSA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 914-0201
- Référence fabricant:
- IDV15E65D2XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de produit | Diode de silicium | |
| Courant direct maximum If | 7.5A | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 650V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 100A | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 51ns | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension directe maximale Vf | 2.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 34W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 16.15mm | |
| Longueur | 10.65mm | |
| Largeur | 4.85 mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de produit Diode de silicium | ||
Courant direct maximum If 7.5A | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 650V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 100A | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 51ns | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension directe maximale Vf 2.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 34W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 16.15mm | ||
Longueur 10.65mm | ||
Largeur 4.85 mm | ||
Standard automobile Non | ||
Diode Infineon, courant direct maximal de 7,5A, tension inverse maximale de 650V - IDV15E65D2XKSA1
Cette diode est une diode de puissance robuste à configuration unique conçue pour les applications à haute température. Il est conçu à partir de la technologie du silicium et est logé dans un boîtier TO-220, avec des dimensions compactes de 10,65 x 4,85 x 16,15 mm. La diode supporte un courant direct maximal de 7,5A et présente une tension inverse maximale de 650V.
Caractéristiques et avantages
• FullPAK isolé électriquement pour un assemblage facile
• La spécification de haute tension facilite les exigences polyvalentes
• La récupération rapide améliore l'efficacité dans les scénarios de commutation rapide
• La faible chute de tension directe optimise l'utilisation de l'énergie
Applications
• Utilisée comme diode d'amplification en mode courant continu correction du facteur de puissance
• Convient aux circuits électroniques automatisés et aux systèmes de contrôle de la puissance
• Intégrés dans les machines industrielles pour un fonctionnement fiable
• Utilisé dans les appareils électriques nécessitant une forte résistance à la chaleur
Quelle est l'intensité du courant qu'il supporte en fonctionnement ?
Il supporte un courant continu maximum de 7,5A, garantissant une performance fiable dans les applications exigeantes.
Quelle est la température maximale qu'il peut supporter ?
Il peut fonctionner efficacement dans une plage de température allant de -40°C à +175°C, ce qui le rend adapté aux environnements à haute température.
Quel est l'impact de la chute de tension directe sur l'efficacité du circuit ?
Avec une chute de tension avant maximale de 2,2 V, il minimise les pertes d'énergie, améliorant ainsi l'efficacité globale du circuit pendant le fonctionnement.
Quelle est la signification du type de boîtier de la diode ?
Le boîtier TO-220 permet une meilleure dissipation de la chaleur et facilite le montage, ce qui est essentiel pour maintenir les performances dans les applications de haute puissance.
Dans quels cas cette diode est-elle recommandée ?
Il est particulièrement recommandé pour les applications nécessitant une commutation à grande vitesse et une faible charge de récupération inverse, ce qui est idéal pour la correction du facteur de puissance dans les environnements industriels.