Diode de silicium Non Infineon, Simple, 7.5 A 650 V, 2 broches, TO-220

Code commande RS:: 145-8750
Référence fabricant:: IDV15E65D2XKSA1
Marque:: Infineon

Diode de silicium Non Infineon, Simple, 7.5 A 650 V, 2 broches, TO-220

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

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Code commande RS:: 145-8750
Référence fabricant:: IDV15E65D2XKSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Configuration de diode	Simple
	Type de produit	Diode de silicium
	Courant direct maximum If	7.5A
	Type de montage	Traversant
	Sous type	Jonction au silicium
	Type de Boitier	TO-220
	Nombre de broches	2
	Temps de recouvrement inverse crête trr	51ns
	Température minimum de fonctionnement	-40°C
	Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm	100A
	Tension inverse de crête répétitive Vrrm	650V
	Tension directe maximale Vf	2.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd	34W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Hauteur	16.15mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	10.65mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Configuration de diode Simple
	Type de produit Diode de silicium
	Courant direct maximum If 7.5A
	Type de montage Traversant
	Sous type Jonction au silicium
	Type de Boitier TO-220
	Nombre de broches 2
	Temps de recouvrement inverse crête trr 51ns
	Température minimum de fonctionnement -40°C
	Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 100A
	Tension inverse de crête répétitive Vrrm 650V
	Tension directe maximale Vf 2.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd 34W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Hauteur 16.15mm
	Normes/homologations No
	Longueur 10.65mm
	Standard automobile Non

IDV15E65D2 Rapid Switching Emitter Controlled Diode

Pays d'origine :: MY

Diode Infineon, courant direct maximal de 7,5A, tension inverse maximale de 650V - IDV15E65D2XKSA1

Cette diode est une diode de puissance robuste à configuration unique conçue pour les applications à haute température. Il est conçu à partir de la technologie du silicium et est logé dans un boîtier TO-220, avec des dimensions compactes de 10,65 x 4,85 x 16,15 mm. La diode supporte un courant direct maximal de 7,5A et présente une tension inverse maximale de 650V.

Caractéristiques et avantages

• FullPAK isolé électriquement pour un assemblage facile

• La spécification de haute tension facilite les exigences polyvalentes

• La récupération rapide améliore l'efficacité dans les scénarios de commutation rapide

• La faible chute de tension directe optimise l'utilisation de l'énergie

Applications

• Utilisée comme diode d'amplification en mode courant continu correction du facteur de puissance

• Convient aux circuits électroniques automatisés et aux systèmes de contrôle de la puissance

• Intégrés dans les machines industrielles pour un fonctionnement fiable

• Utilisé dans les appareils électriques nécessitant une forte résistance à la chaleur

Quelle est l'intensité du courant qu'il supporte en fonctionnement ?

Il supporte un courant continu maximum de 7,5A, garantissant une performance fiable dans les applications exigeantes.

Quelle est la température maximale qu'il peut supporter ?

Il peut fonctionner efficacement dans une plage de température allant de -40°C à +175°C, ce qui le rend adapté aux environnements à haute température.

Quel est l'impact de la chute de tension directe sur l'efficacité du circuit ?

Avec une chute de tension avant maximale de 2,2 V, il minimise les pertes d'énergie, améliorant ainsi l'efficacité globale du circuit pendant le fonctionnement.

Quelle est la signification du type de boîtier de la diode ?

Le boîtier TO-220 permet une meilleure dissipation de la chaleur et facilite le montage, ce qui est essentiel pour maintenir les performances dans les applications de haute puissance.

Dans quels cas cette diode est-elle recommandée ?

Il est particulièrement recommandé pour les applications nécessitant une commutation à grande vitesse et une faible charge de récupération inverse, ce qui est idéal pour la correction du facteur de puissance dans les environnements industriels.