Jonction au silicium Non Infineon, Simple, 15 A 650 V, 3 broches, TO-247
- Code commande RS:
- 218-4370
- Référence fabricant:
- IDW15E65D2FKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
10,81 €
HT
12,97 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 260 unité(s) expédiée(s) à partir du 02 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 1,081 € | 10,81 € |
| 20 - 40 | 1,027 € | 10,27 € |
| 50 - 90 | 0,973 € | 9,73 € |
| 100 - 240 | 0,908 € | 9,08 € |
| 250 + | 0,844 € | 8,44 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 218-4370
- Référence fabricant:
- IDW15E65D2FKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 15A | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 100A | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 30ns | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 650V | |
| Tension directe maximale Vf | 1.6V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 85.7W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | IDW15E65D2 | |
| Hauteur | 41.42mm | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Largeur | 5.21 mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 15A | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Type de montage Traversant | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 100A | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 30ns | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 650V | ||
Tension directe maximale Vf 1.6V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 85.7W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série IDW15E65D2 | ||
Hauteur 41.42mm | ||
Longueur 16.13mm | ||
Largeur 5.21 mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La diode silicium d'alimentation de contrôleur d'émetteur à découpage Infineon Rapid 2 dans un boîtier TO-247 est conçue pour les applications de commutation entre 40 kHz et 100 kHz. Il est doté d'un courant direct de 30 A.
Charge de récupération inverse la plus faible
Temps de récupération inverse réduit
Courant de récupération inverse le plus faible pour fournir les pertes de mise sous tension les plus faibles Le commutateur de boost
Placage sans plomb
Conforme à la directive RoHS