Jonction au silicium Non Infineon, Simple, 15 A 650 V, 3 broches, TO-247
- Code commande RS:
- 218-4370
- Référence fabricant:
- IDW15E65D2FKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
10,81 €
HT
12,97 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 250 unité(s) expédiée(s) à partir du 22 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 1,081 € | 10,81 € |
| 20 - 40 | 1,027 € | 10,27 € |
| 50 - 90 | 0,973 € | 9,73 € |
| 100 - 240 | 0,908 € | 9,08 € |
| 250 + | 0,844 € | 8,44 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 218-4370
- Référence fabricant:
- IDW15E65D2FKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Courant direct maximum If | 15A | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 650V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 100A | |
| Tension directe maximale Vf | 1.6V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 85.7W | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 30ns | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 41.42mm | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Série | IDW15E65D2 | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Courant direct maximum If 15A | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 650V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 100A | ||
Tension directe maximale Vf 1.6V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 85.7W | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 30ns | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 41.42mm | ||
Longueur 16.13mm | ||
Série IDW15E65D2 | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La diode silicium d'alimentation de contrôleur d'émetteur à découpage Infineon Rapid 2 dans un boîtier TO-247 est conçue pour les applications de commutation entre 40 kHz et 100 kHz. Il est doté d'un courant direct de 30 A.
Charge de récupération inverse la plus faible
Temps de récupération inverse réduit
Courant de récupération inverse le plus faible pour fournir les pertes de mise sous tension les plus faibles Le commutateur de boost
Placage sans plomb
Conforme à la directive RoHS
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium Non Infineon 15 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 80 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 60 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 40 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 75 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 30 A 650 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 30 A 600 V TO-247
- Jonction au silicium Non Infineon 80 A 650 V TO-220