Diode Schottky et de redressement traversante Infineon, 20A, 650V, PG-TO247-3

La génération 5 ThinQ d'Infineon représente une technologie de pointe pour les diodes barrière Schottky SiC. Grâce à la conception plus compacte et à la technologie de gaufre mince, la nouvelle famille de produits présente un meilleur rendement sur toutes les conditions de charge, ce qui résulte à la fois d'une meilleure caractéristique thermique et d'un chiffre de mérite plus faible. La nouvelle génération thinQ 5 a été conçue pour compléter nos familles 650 V CoolMOS, ce qui garantit la conformité aux exigences d'application les plus strictes dans cette plage de tension.

Comportement de commutation de référence
Pas de récupération inversée/Pas de récupération directe
Comportement de commutation indépendant de la température
Capacité de courant de surtension élevée
Fiabilité du système plus élevée grâce à des températures d'utilisation plus basses
IEM réduites