Diode Schottky et de redressement CMS Infineon, 4A, 650V, PG-VSON-4

Les diodes Schottky Infineon CoolSiC de génération 5 600 V, 2 A dans un boîtier DPAK à 2 broches représentent notre technologie de pointe pour les diodes barrières Schottky SiC. Le processus de soudure par diffusion propriétaire d'Infineon, déjà introduit avec le G3, est maintenant combiné à une nouvelle conception plus compacte et à la technologie de gaufre mince. Le résultat est une nouvelle famille de produits montrant un meilleur rendement sur toutes les conditions de charge, qui provient à la fois des caractéristiques thermiques améliorées et d'un chiffre de mérite plus faible.

Aucune charge de récupération inversée
Forme d'onde de récupération inverse à commutation souple
Comportement de commutation indépendant de la température
Performances de commutation extrêmement stables
Exigences de refroidissement réduites
Risques réduits de fuite thermique