Diode Schottky et de redressement CMS Infineon, 8A, 650V, PG-VSON-4

L'Infineon 5e génération thinQ! La diode Schottky SiC est un procédé de soudage par diffusion propriétaire, déjà introduit avec le G3. Elle est maintenant combinée à une nouvelle conception plus compacte et à la technologie de gaufre mince. Le résultat est une nouvelle famille de produits montrant un meilleur rendement sur toutes les conditions de charge, ce qui résulte à la fois d'une amélioration des caractéristiques thermiques et d'un chiffre de mérite plus faible. Le nouveau thinQ!La génération TM 5 a été conçue pour compléter nos familles CoolMOS 650 V, ce qui garantit la conformité aux exigences d'application les plus strictes dans cette plage de tension.

Matériau de semi-conducteur révolutionnaire - carbure de silicium
Comportement de commutation de référence
Pas de récupération inversée/Pas de récupération directe
Comportement de commutation indépendant de la température
Permet des solutions de densité de puissance/fréquence plus élevée
Fiabilité du système plus élevée grâce à des températures d'utilisation plus basses
IEM réduites