Diode TVS Taiwan Semiconductor 1, dissip. 1500 W Uni-Directionnel 33 V, 2 broches DO-214AB (SMC)
- Code commande RS:
- 170-4112
- Référence fabricant:
- SMCJ33A
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 170-4112
- Référence fabricant:
- SMCJ33A
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Taiwan Semiconductor | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 36.7V | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | DO-214AB (SMC) | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 33V | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 1500W | |
| Tension de pincement VC | 53.3V | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 29A | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 7.11mm | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Hauteur | 2.62mm | |
| Courant de fuite inverse maximum | 1μA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Taiwan Semiconductor | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Tension de claquage minimum Vbr 36.7V | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier DO-214AB (SMC) | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 33V | ||
Nombre de broches 2 | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 1500W | ||
Tension de pincement VC 53.3V | ||
Courant d'impulsion crête maximum 29A | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 7.11mm | ||
Largeur 6.22mm | ||
Hauteur 2.62mm | ||
Courant de fuite inverse maximum 1μA | ||
- Pays d'origine :
- CN
Diodes TVS SMT unidirectionnelles 1 500 W, série SMCJ, Taiwan Semiconductor
Boîtier bas profil
Décharge de traction intégrée
Raccord passivé en verre
Excellente capacité de serrage
IR typique inférieur à 1 μA au-dessus de 10 V
Capacité de puissance d'impulsion de crête de 1 500 Watts avec une forme d'onde de 10/1 000 μs
Suppresseurs de tension transitoire, Taiwan Semiconductor
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