Diode TVS onsemi 1, dissip. 250 mW Bi-directionnel 5 V, 2 broches X2-DFN

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Code commande RS:
185-7977
Référence fabricant:
ESD5581N2T5G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

Diode TVS

Configuration de diode

Simple

Type de direction

Bi-directionnel

Tension de claquage minimum Vbr

5.2V

Type de montage

Surface

Type de Boitier

X2-DFN

Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm

5V

Nombre de broches

2

Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm

250mW

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Courant d'impulsion crête maximum

6A

Tension de pincement VC

12V

Protection ESD

Oui

Courant de test It

1mA

Température d'utilisation maximum

150°C

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

0.66mm

Largeur

0.36mm

Normes/homologations

No

Hauteur

0.28mm

Standard automobile

Non

Courant de fuite inverse maximum

100nA

Pays d'origine :
CN
L'ESD5581 est conçu pour protéger les composants sensibles à la tension qui nécessitent une faible capacité des événements ESD. Une excellente capacité de blocage, une faible capacité, un faible courant de fuite et un temps de réponse rapide rendent ces pièces idéales pour la protection ESD sur les conceptions dans lesquelles l'espace sur carte est un facteur important. En raison de sa faible capacité, la pièce est bien adaptée pour une utilisation dans des conceptions à haute fréquence telles que les applications USB 2.0 haute vitesse.

Faible capacité, 5,0 μF (max.)

Tension de serrage faible, 10 V.

Dimensions du petit contour externe, 0,62 mm x 0,32 mm

Hauteur du corps basse, 0,3 mm

Tension d'arrêt, 5 V.

Applications

ID USB

GPIO

Protection μSD

Produits finis

Lecteurs Flash

HDD

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