Références fabricant

Diode TVS onsemi 1, dissip. 250 mW Bi-directionnel 5 V, 2 broches X2-DFN

Code commande RS:: 185-9076
Référence fabricant:: ESD5581N2T5G
Marque:: onsemi

Diode TVS onsemi 1, dissip. 250 mW Bi-directionnel 5 V, 2 broches X2-DFN

Sous-total (1 paquet de 35 unités)*

0,77 €

0,91 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Dernier stock RS

3 570 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le paquet*
35 +	0,022 €	0,77 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 185-9076
Référence fabricant:: ESD5581N2T5G
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	Diode TVS
	Configuration de diode	Simple
	Type de direction	Bi-directionnel
	Tension de claquage minimum Vbr	5.2V
	Type de montage	Surface
	Type de Boitier	X2-DFN
	Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm	5V
	Nombre de broches	2
	Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm	250mW
	Tension de pincement VC	12V
	Courant d'impulsion crête maximum	6A
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Protection ESD	Oui
	Courant de test It	1mA
	Nombre d'éléments par circuit	1
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	0.66mm
	Largeur	0.36mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	0.28mm
	Standard automobile	Non
	Courant de fuite inverse maximum	100nA

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit Diode TVS
	Configuration de diode Simple
	Type de direction Bi-directionnel
	Tension de claquage minimum Vbr 5.2V
	Type de montage Surface
	Type de Boitier X2-DFN
	Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 5V
	Nombre de broches 2
	Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 250mW
	Tension de pincement VC 12V
	Courant d'impulsion crête maximum 6A
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Protection ESD Oui
	Courant de test It 1mA
	Nombre d'éléments par circuit 1
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 0.66mm
	Largeur 0.36mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 0.28mm
	Standard automobile Non
	Courant de fuite inverse maximum 100nA

Datasheet ESD5581N2T5G

Pays d'origine :: CN

L'ESD5581 est conçu pour protéger les composants sensibles à la tension qui nécessitent une faible capacité des événements ESD. Une excellente capacité de blocage, une faible capacité, un faible courant de fuite et un temps de réponse rapide rendent ces pièces idéales pour la protection ESD sur les conceptions dans lesquelles l'espace sur carte est un facteur important. En raison de sa faible capacité, la pièce est bien adaptée pour une utilisation dans des conceptions à haute fréquence telles que les applications USB 2.0 haute vitesse.

Faible capacité, 5,0 μF (max.)

Tension de serrage faible, 10 V.

Dimensions du petit contour externe, 0,62 mm x 0,32 mm

Hauteur du corps basse, 0,3 mm

Tension d'arrêt, 5 V.

Applications

ID USB

GPIO

Protection μSD

Produits finis

Lecteurs Flash

HDD

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.