Diode TVS ROHM, dissip. 200 W Uni-Directionnel 100 V PMDE
- Code commande RS:
- 246-3990
- Référence fabricant:
- VS100VLNVWMTR
- Marque:
- ROHM
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 246-3990
- Référence fabricant:
- VS100VLNVWMTR
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 114V | |
| Type de montage | Surface, Traversant | |
| Type de Boitier | PMDE | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 100V | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 200W | |
| Tension de pincement VC | 162V | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 1.2A | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Protection ESD | Oui | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | VS | |
| Longueur | 2.3mm | |
| Normes/homologations | RoHS, IEC 61000-4-2 | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Courant de fuite inverse maximum | 0.1μA | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Configuration de diode Simple | ||
Tension de claquage minimum Vbr 114V | ||
Type de montage Surface, Traversant | ||
Type de Boitier PMDE | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 100V | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 200W | ||
Tension de pincement VC 162V | ||
Courant d'impulsion crête maximum 1.2A | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Protection ESD Oui | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série VS | ||
Longueur 2.3mm | ||
Normes/homologations RoHS, IEC 61000-4-2 | ||
Largeur 1.4mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Courant de fuite inverse maximum 0.1μA | ||
Standard automobile Non | ||
La série Rohm VS est un suppresseur de tension transitoire qui est disponible dans un boîtier PMDE et est doté d'une structure planaire épitaxiale au silicium et peut être utilisé dans les applications de protection contre les surtensions et de régulation de tension.
Haute fiabilité.
Petit moule
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