Diode TVS ROHM, dissip. 1 W Uni-Directionnel 58 V PMDE
- Code commande RS:
- 246-4069
- Référence fabricant:
- VS58VLNVWMTFTR
- Marque:
- ROHM
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 246-4069
- Référence fabricant:
- VS58VLNVWMTFTR
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 64V | |
| Type de montage | En surface, Traversant | |
| Type de Boitier | PMDE | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 58V | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 1W | |
| Tension de pincement VC | 93.6V | |
| Protection ESD | Oui | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 2.1A | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS, IEC 61000-4-2 | |
| Longueur | 2.3mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Série | VS | |
| Standard automobile | Non | |
| Courant de fuite inverse maximum | 100nA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Tension de claquage minimum Vbr 64V | ||
Type de montage En surface, Traversant | ||
Type de Boitier PMDE | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 58V | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 1W | ||
Tension de pincement VC 93.6V | ||
Protection ESD Oui | ||
Courant d'impulsion crête maximum 2.1A | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS, IEC 61000-4-2 | ||
Longueur 2.3mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Largeur 1.4mm | ||
Série VS | ||
Standard automobile Non | ||
Courant de fuite inverse maximum 100nA | ||
La série Rohm VS est un suppresseur de tension transitoire qui est disponible dans un boîtier PMDE et est doté d'une structure planaire épitaxiale au silicium et peut être utilisé dans les applications de protection contre les surtensions et de régulation de tension.
Haute fiabilité.
Petit moule
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