Diode TVS ROHM, dissip. 1 W Uni-Directionnel 78 V PMDE
- Code commande RS:
- 246-4093
- Référence fabricant:
- VS78VLNVWMTR
- Marque:
- ROHM
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 246-4093
- Référence fabricant:
- VS78VLNVWMTR
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 85V | |
| Type de montage | En surface, Traversant | |
| Type de Boitier | PMDE | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 78V | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 1W | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 1.55A | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension de pincement VC | 126V | |
| Protection ESD | Oui | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.3mm | |
| Normes/homologations | IEC 61000-4-2, RoHS | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Série | VS | |
| Hauteur | 1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Courant de fuite inverse maximum | 100nA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Tension de claquage minimum Vbr 85V | ||
Type de montage En surface, Traversant | ||
Type de Boitier PMDE | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 78V | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 1W | ||
Courant d'impulsion crête maximum 1.55A | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension de pincement VC 126V | ||
Protection ESD Oui | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.3mm | ||
Normes/homologations IEC 61000-4-2, RoHS | ||
Largeur 1.4mm | ||
Série VS | ||
Hauteur 1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Courant de fuite inverse maximum 100nA | ||
La série Rohm VS est un suppresseur de tension transitoire qui est disponible dans un boîtier PMDE et est doté d'une structure planaire épitaxiale au silicium et peut être utilisé dans les applications de protection contre les surtensions et de régulation de tension.
Haute fiabilité.
Petit moule
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