Références fabricant

Diode de protection ESD onsemi 4, dissip. 0.36 W Bi-directionnel 12 V, 8 broches DFN

Code commande RS:: 805-1918
Référence fabricant:: NUF2114MNT1G
Marque:: onsemi

Diode de protection ESD onsemi 4, dissip. 0.36 W Bi-directionnel 12 V, 8 broches DFN

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Code commande RS:: 805-1918
Référence fabricant:: NUF2114MNT1G
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de direction	Bi-directionnel
	Type de produit	Diode de protection ESD
	Configuration de diode	Réseau
	Tension de claquage minimum Vbr	13.7V
	Type de montage	En surface
	Type de Boitier	DFN
	Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm	12V
	Nombre de broches	8
	Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm	0.36W
	Courant de test It	1mA
	Température minimum de fonctionnemen	-40°C
	Protection ESD	Oui
	Nombre d'éléments par circuit	4
	Température d'utilisation maximum	85°C
	Hauteur	0.95mm
	Longueur	2mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	2mm
	Standard automobile	Non
	Courant de fuite inverse maximum	100nA

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de direction Bi-directionnel
	Type de produit Diode de protection ESD
	Configuration de diode Réseau
	Tension de claquage minimum Vbr 13.7V
	Type de montage En surface
	Type de Boitier DFN
	Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 12V
	Nombre de broches 8
	Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 0.36W
	Courant de test It 1mA
	Température minimum de fonctionnemen -40°C
	Protection ESD Oui
	Nombre d'éléments par circuit 4
	Température d'utilisation maximum 85°C
	Hauteur 0.95mm
	Longueur 2mm
	Normes/homologations No
	Largeur 2mm
	Standard automobile Non
	Courant de fuite inverse maximum 100nA

Datasheet

Filtre EMI avec protection PSDE, ON Semiconductor

Suppresseurs de tension transitoire, ON Semiconductor

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