Diode Zener ON Semiconductor, 5.1V, Traversant, dissip. ≤ 500 mW DO-35
- Code commande RS:
- 184-5022
- Référence fabricant:
- 1N5231B
- Marque:
- onsemi
2000 Sous 2 jour(s) (stock Europe)
750 Sous 2 jour(s) (stock Europe)
Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour l'unité (par multiple de 250)
0,044 €
HT
0,053 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 250 - 250 | 0,044 € | 11,00 € |
| 500 - 1000 | 0,037 € | 9,25 € |
| 1250 - 2250 | 0,036 € | 9,00 € |
| 2500 - 6000 | 0,035 € | 8,75 € |
| 6250 + | 0,025 € | 6,25 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 184-5022
- Référence fabricant:
- 1N5231B
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Diodes Zener 500 mW, série 1N52, Fairchild Semiconductor
Données générales applicables à toutes les séries de ce groupe.
500 milliwatt
Hermétiques
Diodes Zener en silicone de verre
Plage de tension complète - 1,8 à 200 V.
Forfait DO-204AH - Plus petit que le forfait classique DO-204AA
Construction de type à limace double
Construction métallisée
Caractéristiques mécaniques:
Boîtier: Type à limace double, verre hermétiquement scellé
Température MAXIMALE D'ÉTANCHÉITÉ POUR LES FINS DE RÉDUCTION: 230°C, 1/16", à partir du boîtier pendant 10 secondes
Finition: Toutes les surfaces externes sont résistantes à la corrosion avec des fils facilement soudables
Polarité : cathode indiquée par la bande de couleur. En mode Zener, la cathode est positive par rapport à l'anode
Position DE MONTAGE: Tout
Wafer FAB EMPLACEMENT: Phoenix, Arizona
Lieu D'ASSEMBLAGE/D'ESSAI: Séoul, Corée
500 milliwatt
Hermétiques
Diodes Zener en silicone de verre
Plage de tension complète - 1,8 à 200 V.
Forfait DO-204AH - Plus petit que le forfait classique DO-204AA
Construction de type à limace double
Construction métallisée
Caractéristiques mécaniques:
Boîtier: Type à limace double, verre hermétiquement scellé
Température MAXIMALE D'ÉTANCHÉITÉ POUR LES FINS DE RÉDUCTION: 230°C, 1/16", à partir du boîtier pendant 10 secondes
Finition: Toutes les surfaces externes sont résistantes à la corrosion avec des fils facilement soudables
Polarité : cathode indiquée par la bande de couleur. En mode Zener, la cathode est positive par rapport à l'anode
Position DE MONTAGE: Tout
Wafer FAB EMPLACEMENT: Phoenix, Arizona
Lieu D'ASSEMBLAGE/D'ESSAI: Séoul, Corée
Diodes Zener, Fairchild Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Configuration de diode | Simple |
| Tension zener nominal | 5.1V |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Dissipation de puissance maximum | 500 mW |
| Type de boîtier | DO-35 |
| Type de zener | Usage général |
| Tolérance de la tension zener | 5% |
| Nombre de broches | 2 |
| Courant de test | 20mA |
| Impédance zener maximum | 1600 Ω @ 0.25 mA, 17 Ω @ 20 mA |
| Courant de fuite inverse maximum | 5µA |
| Dimensions | 1.91 (Dia.) x 4.56mm |
| Courant direct | 200mA |
| Tension directe | 1.2V |
| Température de fonctionnement minimum | -65 °C |
| Coefficient de Tension température typique | ±0.03%/°C |
| Température d'utilisation maximum | +200 °C |