Diode Zener, 5.2 V 1 ROHM, En surface, Isolé, dissip. ≤ 150 mW SOD-523 2 broches
- Code commande RS:
- 215-9729
- Référence fabricant:
- EDZVFHT2R5.1B
- Marque:
- ROHM
Sous-total (1 bobine de 8000 unités)*
208,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 8000 + | 0,026 € | 208,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-9729
- Référence fabricant:
- EDZVFHT2R5.1B
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de produit | Diode Zener | |
| Tension zener nominale Vz | 5.2V | |
| Configuration de diode | Isolé | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150mW | |
| Type de Boitier | SOD-523 | |
| Type de zener | Régulateur de tension | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Courant de test It | 5mA | |
| Impédance zener maximum | 500Ω | |
| Courant de fuite inverse maximum | 2μA | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | EDZVFH | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 1.7mm | |
| Largeur | 850μm | |
| Hauteur | 700μm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de produit Diode Zener | ||
Tension zener nominale Vz 5.2V | ||
Configuration de diode Isolé | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150mW | ||
Type de Boitier SOD-523 | ||
Type de zener Régulateur de tension | ||
Nombre de broches 2 | ||
Courant de test It 5mA | ||
Impédance zener maximum 500Ω | ||
Courant de fuite inverse maximum 2μA | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série EDZVFH | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 1.7mm | ||
Largeur 850μm | ||
Hauteur 700μm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
La diode Rohm Zener est dotée d'une dissipation de puissance maximale de 0,15 W. Il est doté d'un petit type de moule et d'une structure planaire épitaxiale au silicium. Il est principalement utilisé dans les applications de régulation de tension.
Haute fiabilité.
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