Diode Zener, 36 V 1 ROHM, En surface, Simple, dissip. ≤ 200 mW SOD-323FL 2 broches
- Code commande RS:
- 264-3893
- Référence fabricant:
- UDZVFHTE-1736B
- Marque:
- ROHM
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
129,00 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,043 € | 129,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 264-3893
- Référence fabricant:
- UDZVFHTE-1736B
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Tension zener nominale Vz | 36V | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de produit | Diode Zener | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 200mW | |
| Type de Boitier | SOD-323FL | |
| Type de zener | Planaire au silicium | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Courant de test It | 10mA | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Courant de fuite inverse maximum | 100nA | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | UDZVFHTE | |
| Normes/homologations | AEC-Q101, RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Tension zener nominale Vz 36V | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de produit Diode Zener | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 200mW | ||
Type de Boitier SOD-323FL | ||
Type de zener Planaire au silicium | ||
Nombre de broches 2 | ||
Courant de test It 10mA | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Courant de fuite inverse maximum 100nA | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série UDZVFHTE | ||
Normes/homologations AEC-Q101, RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Les diodes Zener de la marque ROHM spécialement conçues pour l'automobile sont disponibles dans différentes gammes : type CMS moulé à 2 broches et type complexe. Elles sont dotées d'une structure planaire épitaxiale en silicium et sont utilisées dans la régulation des tensions.
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