Série EEPROM, série I2C, 64 ko STMicroelectronics, 450 ns En surface, 5 broches UFDFPN

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
239-6328
Référence fabricant:
M24C64-FMH6TG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

Série EEPROM

Taille de la mémoire

64ko

Type d'interface

série I2C

Type de Boitier

UFDFPN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Configuration

8K x 8 bits

Fréquence d'horloge maximum

1MHz

Tension d'alimentation minimum

1.7V

Nombre de bits par mot

8

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Hauteur

0.55mm

Longueur

1.7mm

Normes/homologations

No

Largeur

1.4mm

Série

M24C64-F

Temps d'accès aléatoire maximum

450ns

Nombre de mots

8K

Rétention des données

200année

Standard automobile

AEC-Q100

EEPROM bus I2C série 64 Kbits


Description


Le M24C64 est une EEPROM (mémoire programmable effaçable électriquement) compatible I2C de 64 Kbits organisée en 8 K x 8 embouts.

Sur une plage de températures ambiantes de -40 °C / +85 °C, le M24C64-W peut fonctionner avec une tension d'alimentation de 2,5 à 5,5 V, le M24C64-R peut fonctionner avec une tension d'alimentation de 1,8 à 5,5 V, et le M24C64-F et le M24C64-DF peuvent fonctionner avec une tension d'alimentation de 1,7 à 5,5 V (le M24C64-F peut également fonctionner jusqu'à 1,6 V, dans certaines conditions restrictives).

Le M24C64-D offre une page supplémentaire, appelée page d'identification (32 octets). La page d'identification peut être utilisée pour stocker des paramètres d'application sensibles qui peuvent être (plus tard) verrouillés en permanence en mode lecture seule.

Caractéristiques


Compatible avec les I suivants2Modes de bus C :

1 MHz

400 kHz

100 kHz

Réseau de mémoire :

64 Kbits (8 Ko) d'EEPROM

Taille de page : 32 octet

Page verrouillable d'écriture supplémentaire (codes de commande M24C64-D)

Tension d'alimentation simple :

1,7 à 5,5 V sur -40 °C / +85 °C

1,6 à 5,5 V sur 0 °C / +85 °C

Ecrire :

Ecriture d'octets dans un délai de 5 ms

Ecriture de page dans un délai de 5 ms

Modes de lecture aléatoire et séquentielle

Protection en écriture de l'ensemble du réseau de mémoire

Protection contre les décharges électrostatiques/verrouillage améliorée

Plus de 4 millions de cycles d'écriture

Plus de 200 ans de conservation des données

Boîtiers

SO8N (ECOPACK2)

TSSOP8 (ECOPACK2)

UFDFPN (ECOPACK2)

WLCSP (ECOPACK2)

Galette non sciée (chaque matrice est testée)

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