IGBT Non IXYSCanal-Type N, 50 A, 1200 V 160 ns, 3 broches, TO-268 Traversant

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Code commande RS:
192-635
Numéro d'article Distrelec:
302-53-420
Référence fabricant:
IXGT30N120B3D1
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

50A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Type de Boitier

TO-268

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

160ns

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

3.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Série

Mid-Frequency

Standard automobile

Non

IGBT Discrétes, IXYS


IGBT Discretes et modules, IXYS


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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