- Code commande RS:
- 192-635
- Référence fabricant:
- IXGT30N120B3D1
- Marque:
- IXYS
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2 - 4 | 10,30 € |
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- 192-635
- Référence fabricant:
- IXGT30N120B3D1
- Marque:
- IXYS
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
IGBT Discrétes, IXYS
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Courant continu de Collecteur maximum | 50 A |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V |
Type de boîtier | TO-268 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Configuration du transistor | Simple |
Dimensions | 16.05 x 14 x 5.1mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
- Code commande RS:
- 192-635
- Référence fabricant:
- IXGT30N120B3D1
- Marque:
- IXYS