IGBT Non IXYSCanal-Type N, 50 A, 1200 V 160 ns, 3 broches, TO-268 Traversant
- Code commande RS:
- 192-635
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-420
- Référence fabricant:
- IXGT30N120B3D1
- Marque:
- IXYS
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 192-635
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-420
- Référence fabricant:
- IXGT30N120B3D1
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 50A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Type de Boitier | TO-268 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 160ns | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 3.5V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | Mid-Frequency | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 50A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Type de Boitier TO-268 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 160ns | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 3.5V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série Mid-Frequency | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
IGBT Discrétes, IXYS
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.