IGBT Non IXYSCanal-Type N, 50 A, 1700 V 290 ns, 3 broches, TO-247AD Traversant, Surface
- Code commande RS:
- 194-883
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-413
- Référence fabricant:
- IXGH24N170
- Marque:
- IXYS
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|---|---|
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| 5 - 19 | 15,52 € |
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- Code commande RS:
- 194-883
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-413
- Référence fabricant:
- IXGH24N170
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 50A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1700V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Type de Boitier | TO-247AD | |
| Type de montage | Traversant, Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 290ns | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 3.3V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | IXGH | |
| Hauteur | 19.1mm | |
| Longueur | 20.32mm | |
| Normes/homologations | UL 94 V-0 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 50A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1700V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Type de Boitier TO-247AD | ||
Type de montage Traversant, Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 290ns | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 3.3V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série IXGH | ||
Hauteur 19.1mm | ||
Longueur 20.32mm | ||
Normes/homologations UL 94 V-0 | ||
Standard automobile Non | ||
IGBT Discrétes, IXYS
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
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