Références fabricant

IGBT IXYS, canal Type N, 75 A, 1200 V, 140 ns, 3 broches , TO-247, montage Traversant

Code commande RS:: 192-988
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-416
Référence fabricant:: IXGH40N120B2D1
Marque:: IXYS

IGBT IXYS, canal Type N, 75 A, 1200 V, 140 ns, 3 broches , TO-247, montage Traversant

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5 - 19	12,08 €
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Code commande RS:: 192-988
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-416
Référence fabricant:: IXGH40N120B2D1
Marque:: IXYS

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Courant continu de Collecteur maximum lc	75A
	Type de produit	IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	1200V
	Dissipation de puissance maximum Pd	380W
	Type de Boitier	TO-247
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	Type N
	Nombre de broches	3
	Vitesse de découpage	140ns
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	±20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	3.5V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Série	Mid-Frequency
	Normes/homologations	RoHS
	Longueur	19.81mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque IXYS
	Courant continu de Collecteur maximum lc 75A
	Type de produit IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V
	Dissipation de puissance maximum Pd 380W
	Type de Boitier TO-247
	Type de montage Traversant
	Type de canal Type N
	Nombre de broches 3
	Vitesse de découpage 140ns
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 3.5V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Série Mid-Frequency
	Normes/homologations RoHS
	Longueur 19.81mm
	Standard automobile Non

Datasheet

IGBT Discrétes, IXYS

IGBT Discretes et modules, IXYS

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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