IGBT, IXGH40N120B2D1, , 75 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 168-4435
- Référence fabricant:
- IXGH40N120B2D1
- Marque:
- IXYS
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
387,36 €
HT
464,82 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 30 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 12,912 € | 387,36 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-4435
- Référence fabricant:
- IXGH40N120B2D1
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 75 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Courant continu de Collecteur maximum 75 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 16.26 x 5.3 x 21.46mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
IGBT Discrétes, IXYS
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.