IGBT Non onsemiCanal-Type N Triphasé, 30 A, 650 V, 39 broches, DIP-39 6 Traversant

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277-038
Référence fabricant:
NFAM3065L4BL
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

30A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Nombre de transistors

6

Dissipation de puissance maximum Pd

113W

Type de Boitier

DIP-39

Configuration

Triphasé

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

39

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.3V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

5.6mm

Largeur

31 mm

Longueur

54.5mm

Normes/homologations

Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
VN
Le module d'alimentation à onduleur intégré de ON Semiconductor comporte un pilote de grille côté haut, un LVIC, six IGBT et un capteur de température (VTS), ce qui le rend idéal pour piloter des moteurs asynchrones PMSM, BLDC et AC. Les IGBT sont disposés en pont triphasé avec des connexions d'émetteur séparées pour les pattes inférieures, ce qui permet une flexibilité maximale dans la sélection de l'algorithme de contrôle.

Interface logique active

Protection contre les sous-tensions intégrée

Diodes et résistances d'amorçage intégrées

Connexions séparées de l'émetteur de l'IGBT du côté bas pour la détection individuelle du courant de chaque phase

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