IGBT Non onsemiCanal-Type N Triphasé, 30 A, 650 V, 39 broches, DIP-39 6 Traversant
- Code commande RS:
- 277-038
- Référence fabricant:
- NFAM3065L4BL
- Marque:
- onsemi
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|---|---|
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| 10 - 99 | 24,98 € |
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- Code commande RS:
- 277-038
- Référence fabricant:
- NFAM3065L4BL
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 30A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 113W | |
| Nombre de transistors | 6 | |
| Configuration | Triphasé | |
| Type de Boitier | DIP-39 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 39 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 5.6mm | |
| Longueur | 54.5mm | |
| Normes/homologations | Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 30A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 113W | ||
Nombre de transistors 6 | ||
Configuration Triphasé | ||
Type de Boitier DIP-39 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 39 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.3V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 5.6mm | ||
Longueur 54.5mm | ||
Normes/homologations Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- VN
Le module d'alimentation à onduleur intégré de ON Semiconductor comporte un pilote de grille côté haut, un LVIC, six IGBT et un capteur de température (VTS), ce qui le rend idéal pour piloter des moteurs asynchrones PMSM, BLDC et AC. Les IGBT sont disposés en pont triphasé avec des connexions d'émetteur séparées pour les pattes inférieures, ce qui permet une flexibilité maximale dans la sélection de l'algorithme de contrôle.
Interface logique active
Protection contre les sous-tensions intégrée
Diodes et résistances d'amorçage intégrées
Connexions séparées de l'émetteur de l'IGBT du côté bas pour la détection individuelle du courant de chaque phase
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