Module de puissance IGBT Non onsemiCanal-Type N, Type P Demi-pont, 800 A, 1200 V, 11 broches, PIM11 2 Traversant

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277-059
Référence fabricant:
NXH800H120L7QDSG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

Module de puissance IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

800A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Nombre de transistors

2

Configuration

Demi-pont

Type de Boitier

PIM11

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N, Type P

Nombre de broches

11

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.05V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

20.8mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

152mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le module de puissance Half Bridge IGBT d'ON Semiconductor intègre des IGBTs Field Stop Trench 7 et des diodes Gen. 7, ce qui permet de réduire les pertes de conduction et de commutation. Cette conception permet d'obtenir un rendement élevé et une fiabilité supérieure. Le module est configuré comme un demi-pont 2-en-1 1 200 V, 800 A, ce qui le rend idéal pour les applications qui nécessitent des performances robustes et un rendement de conversion de puissance optimal.

Thermistance NTC

Plaque de base isolée

Broches à souder

Disposition peu inductive

Sans plomb

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