Module de puissance IGBT Non onsemiCanal-Type N, Type P Demi-pont, 800 A, 1.2 kV, 11 broches, PIM11 2 Traversant

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
277-059
Référence fabricant:
NXH800H120L7QDSG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum lc

800A

Type de produit

Module de puissance IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1.2kV

Nombre de transistors

2

Configuration

Demi-pont

Type de Boitier

PIM11

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N, Type P

Nombre de broches

11

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.05V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

62.15mm

Longueur

152mm

Hauteur

20.8mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le module de puissance Half Bridge IGBT d'ON Semiconductor intègre des IGBTs Field Stop Trench 7 et des diodes Gen. 7, ce qui permet de réduire les pertes de conduction et de commutation. Cette conception permet d'obtenir un rendement élevé et une fiabilité supérieure. Le module est configuré comme un demi-pont 2-en-1 1 200 V, 800 A, ce qui le rend idéal pour les applications qui nécessitent des performances robustes et un rendement de conversion de puissance optimal.

Thermistance NTC

Plaque de base isolée

Broches à souder

Disposition peu inductive

Sans plomb

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