IGBT, FF1600R12IP7BOSA1, , 1,6 kA, 1 200 V
- Code commande RS:
- 349-361
- Référence fabricant:
- FF1600R12IP7BOSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 unité)*
875,94 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 875,94 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-361
- Référence fabricant:
- FF1600R12IP7BOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 1,6 kA | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1 200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 20 mW | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Configuration | Demi-pont | |
| Type de montage | Montage à visser | |
| Type de canal | N | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 1,6 kA | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1 200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 20 mW | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Configuration Demi-pont | ||
Type de montage Montage à visser | ||
Type de canal N | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le module double IGBT PrimePACK 2 1 200 V 1 600 A d'Infineon avec TRENCHSTOP IGBT7 et diode 7 contrôlée par l'émetteur est conçu pour les applications de haute puissance, offrant des performances exceptionnelles dans un boîtier compact et robuste. Il offre la densité de puissance la plus élevée, optimisant l'espace tout en conservant des capacités de traitement de la puissance exceptionnelles. Ce module présente le meilleur VCEsat de sa catégorie, garantissant une faible tension de saturation pour un meilleur rendement et des pertes d'énergie réduites.
Augmentation de la densité de puissance
Moins d'efforts de refroidissement pour la même puissance de sortie
Courant de sortie de l'onduleur plus élevé
Éviter la mise en parallèle des modules IGBT
Boîtier normalisé
Moins d'efforts de refroidissement pour la même puissance de sortie
Courant de sortie de l'onduleur plus élevé
Éviter la mise en parallèle des modules IGBT
Boîtier normalisé
