IGBT, IGQ120N120S7XKSA1, , 120 A, 1 200 V, PG-TO247-3-PLUS-N, 3 broches

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
284-978
Référence fabricant:
IGQ120N120S7XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

120 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1 200 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

1 kW

Nombre de transistors

1

Configuration

Collecteur simple, émetteur simple, porte simple

Type de boîtier

PG-TO247-3-PLUS-N

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

L'IGBT d'Infineon est un semi-conducteur de puissance de pointe conçu pour les applications à haute performance. Grâce à sa technologie de tranchée avancée, cet IGBT offre une robustesse et une fiabilité exceptionnelles. Capable de résister à des courts-circuits jusqu'à 8 microsecondes, il est conçu pour des environnements exigeants tels que les alimentations industrielles et les systèmes d'énergie renouvelable. Le dispositif fonctionne à une tension collecteur-émetteur allant jusqu'à 1200 V et supporte des courants collecteurs continus de 120 A. Une performance thermique améliorée est obtenue grâce à une faible résistance thermique, ce qui en fait un favori parmi les ingénieurs qui recherchent l'efficacité et la performance dans leurs conceptions.

Optimisé pour une dissipation thermique élevée
Traite les courts-circuits de courte durée de manière fiable
Large contrôle de dv/dt pour plus de flexibilité
Conforme aux normes industrielles de robustesse
Faible tension de saturation pour plus d'efficacité
Offre un éventail de modèles pour les applications

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