IGBT, IKQ120N65EH7XKSA1, , 160 A, 650 V, PG-TO247-3-PLUS-N, 3 broches

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Code commande RS:
284-989
Référence fabricant:
IKQ120N65EH7XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

160 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum

498 W

Configuration

Collecteur simple, émetteur simple, porte simple

Type de boîtier

PG-TO247-3-PLUS-N

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

L'IGBT d'Infineon avec semi-conducteur de puissance avancé révolutionne l'efficacité dans diverses applications grâce à ses capacités de vitesse élevée et à sa faible tension de saturation. Conçu avec la célèbre technologie IGBT7 TRENCHSTOP 650 V, il excelle dans les topologies à commutation dure, ce qui le rend idéal pour les systèmes UPS industriels, les solutions de recharge pour véhicules électriques et les onduleurs de branche. Ce composant robuste est qualifié selon des normes industrielles strictes, ce qui garantit sa fiabilité et sa longévité dans des environnements exigeants.

Utilise la technologie des tranchées pour plus d'efficacité
Minimise les pertes de commutation pour améliorer les performances
Conçu pour être fiable en cas d'humidité élevée
Caractéristiques de commutation douces pour la précision
Conçu pour une utilisation polyvalente de l'électronique de puissance
Qualifié pour les applications industrielles selon JEDEC
Favorise la durée de vie de l'appareil grâce à la gestion thermique
Fournit des capacités de simulation avec des modèles PSpice

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