IGBT, IKQ150N65EH7XKSA1, , 150 A, 650 V, PG-TO247-3-PLUS-N, 3 broches

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Code commande RS:
284-991
Référence fabricant:
IKQ150N65EH7XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

150 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

621 W

Nombre de transistors

1

Type de boîtier

PG-TO247-3-PLUS-N

Configuration

Collecteur simple, émetteur simple, porte simple

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

L'IGBT d'Infineon illustre les performances de pointe grâce à sa conception à haute vitesse et à faible tension de saturation, conçue pour des applications exigeantes dans divers secteurs. Ce produit tire parti de la technologie avancée IGBT7 avec arrêt en tranchée, atteignant un rendement remarquable à 650 V. Sa structure copackée avec une diode Emitter Controlled 7 douce et à récupération rapide garantit une fiabilité et des performances exceptionnelles du circuit intégré. Idéal pour les systèmes ASI industriels et les stations de recharge de véhicules électriques Conçu pour résister à l'humidité, ce produit offre une durabilité accrue dans les environnements difficiles.

Faibles pertes de commutation pour plus d'efficacité
Faible tension de saturation de l'émetteur du collecteur
Optimisé pour les applications à commutation dure
Garantit la robustesse à l'humidité pour la fiabilité
Offre une gamme de produits et de modèles PSpice
Qualifié pour les applications industrielles et les normes rigoureuses

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