IGBT discret Non StarpowerCanal-N, 100 A 30 ns, 4 broches, TO-247PLUS-4L
- Code commande RS:
- 427-754
- Référence fabricant:
- DG75A08TDFQ
- Marque:
- Starpower
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,77 € | 7,54 € |
| 20 - 198 | 3,395 € | 6,79 € |
| 200 - 998 | 3,13 € | 6,26 € |
| 1000 - 1998 | 2,905 € | 5,81 € |
| 2000 + | 2,385 € | 4,77 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 427-754
- Référence fabricant:
- DG75A08TDFQ
- Marque:
- Starpower
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Starpower | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 100A | |
| Type de produit | IGBT discret | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 378W | |
| Type de Boitier | TO-247PLUS-4L | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Vitesse de découpage | 30ns | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.9V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | DOSEMI | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Starpower | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 100A | ||
Type de produit IGBT discret | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 378W | ||
Type de Boitier TO-247PLUS-4L | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 4 | ||
Vitesse de découpage 30ns | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.9V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Série DOSEMI | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La puissance discrète IGBT Starpower fournit une perte de conduction ultra-faible ainsi qu'une faible perte de commutation. Ils sont conçus pour les applications telles que l'énergie solaire.
Faible perte de commutation
Température de jonction maximale de 175 °C
VCE(sat) avec coefficient de température positif
Perte de récupération inverse très faible basée sur la diode SiC
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