IGBT discret Non StarpowerCanal-N, 200 A, 750 V, 3 broches, TO-247PLUS-3L
- Code commande RS:
- 427-756
- Référence fabricant:
- DG200A08TCSS
- Marque:
- Starpower
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,78 € |
| 10 - 99 | 6,10 € |
| 100 - 499 | 5,62 € |
| 500 - 999 | 5,21 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 427-756
- Référence fabricant:
- DG200A08TCSS
- Marque:
- Starpower
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Starpower | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 200A | |
| Type de produit | IGBT discret | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 750V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Type de Boitier | TO-247PLUS-3L | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.85V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | DOSEMI | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Starpower | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 200A | ||
Type de produit IGBT discret | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 750V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Type de Boitier TO-247PLUS-3L | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.85V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Série DOSEMI | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La puissance discrète IGBT Starpower fournit une perte de conduction ultra-faible ainsi qu'une faible perte de commutation. Ils sont conçus pour les applications telles que les véhicules hybrides et électriques.
Faible perte de commutation
Capacité de court-circuit 5 μs
Température de jonction maximale de 175 °C
Récupération inverse rapide et souple anti-FWD parallèle
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