Module IGBT Non InfineonCanal-Type N, 100 A, 1200 V, AG-ECONO3-4 Serre-joints

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 unité)*

84,49 €

HT

101,39 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 11 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 184,49 €
2 - 480,27 €
5 +75,19 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
111-6091
Référence fabricant:
FS100R12KT4GBOSA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

Module IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

100A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

515W

Type de Boitier

AG-ECONO3-4

Type de montage

Serre-joints

Type de canal

Type N

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

17mm

Largeur

62 mm

Longueur

122mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Statut RoHS non applicable

Modules IGBT, Infineon


La gamme de modules IGBT Infineon se caractérise par une faible perte de commutation pour la commutation jusqu'à des fréquences de 60 kHz.

Les IGBT s'étendent sur une gamme de modules d'alimentation tels que les boîtiers ECONOPACK avec émetteur collecteur à 1 200 V, modules Chopper IGBT demi-pont PrimePACK avec NTC jusqu'à 1 600 / 1 700V. Les IGBT PrimePACK peuvent se trouver dans les véhicules industriels, commerciaux, de construction et agricoles. Le canal NTM TRENCHSTOP et les modules IGBT Fieldstop sont adaptés aux applications de commutation immédiate et de commutation progressive telles que les inverseurs, les onduleurs et les variateurs industriels.

Les styles de boîtier incluent : modules 62 mm, EasyPack ECONOPACKTM2/ECONOPACKTM3/ECONOPACKTM4

IGBT Discretes et modules, Infineon


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Nos clients ont également consulté