Module IGBT Non InfineonCanal-Type N, 150 A, 1200 V, AG-34MM-1 Serre-joints

Code commande RS:: 166-0838
Référence fabricant:: FF150R12RT4HOSA1
Marque:: Infineon

Module IGBT Non InfineonCanal-Type N, 150 A, 1200 V, AG-34MM-1 Serre-joints

Sous-total (1 plateau de 10 unités)*

943,07 €

1 131,68 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Temporairement en rupture de stock

10 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 août 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le plateau*
10 +	94,307 €	943,07 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 166-0838
Référence fabricant:: FF150R12RT4HOSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Courant continu de Collecteur maximum lc	150A
	Type de produit	Module IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	1200V
	Dissipation de puissance maximum Pd	79W
	Type de Boitier	AG-34MM-1
	Type de montage	Serre-joints
	Type de canal	Type N
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	2.15V
	Température minimum de fonctionnement	-40°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	20 V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	94mm
	Normes/homologations	RoHS
	Hauteur	30.2mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Courant continu de Collecteur maximum lc 150A
	Type de produit Module IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V
	Dissipation de puissance maximum Pd 79W
	Type de Boitier AG-34MM-1
	Type de montage Serre-joints
	Type de canal Type N
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.15V
	Température minimum de fonctionnement -40°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 94mm
	Normes/homologations RoHS
	Hauteur 30.2mm
	Standard automobile Non

FF150R12RT4 Dual IGBT Module

Pays d'origine :: MY

Module IGBT Infineon, courant de collecteur continu maximal de 150A, tension d'émetteur de collecteur maximale de 1200V - FF150R12RT4HOSA1

Ce module IGBT est conçu pour les applications de commutation à haute fréquence, combinant efficacement deux transistors en configuration série. Il fonctionne efficacement dans une plage de températures allant de -40°C à +150°C. Avec un boîtier compact de 94 x 34 x 30,2 mm, ce module est idéal pour l'intégration dans divers systèmes industriels.

Caractéristiques et avantages

• Le courant de collecteur continu maximum de 150A garantit des performances fiables

• La tension collecteur-émetteur supporte jusqu'à 1200V pour une utilisation robuste

• Les faibles pertes de commutation améliorent l'efficacité énergétique globale

• La plaque de base isolée améliore la gestion thermique et la fiabilité

• Le type de boîtier AG-34MM-1 simplifie l'installation dans les configurations montées sur panneau

Applications

• Convient aux entraînements motorisés dans les systèmes d'automatisation

• Utilisé dans les alimentations sans interruption pour une meilleure fiabilité

• Efficace dans les changements à haute fréquence d'une industrie à l'autre

• Utile dans les convertisseurs électroniques de puissance pour un fonctionnement sans faille

• Fonctionne bien en conjonction avec les cadres d'automatisation industrielle

Quelles sont les caractéristiques thermiques de ce module IGBT ?

Le module présente une résistance thermique de 0,19 K/W entre la jonction et le boîtier, ce qui est essentiel pour maintenir l'efficacité opérationnelle. Il supporte également des cycles de puissance importants avec 300 000 cycles spécifiés à une température de jonction de 125°C et un différentiel de température de 50K.

Quelles sont les performances de ce module IGBT à haute température ?

Il fonctionne efficacement à une température de jonction maximale de 150°C, ce qui garantit sa durabilité dans les applications exigeantes tout en maintenant un faible VCEsat, qui est encore amélioré par un coefficient de température positif pour des performances stables.

Qu'est-ce qui rend les caractéristiques de l'entraînement de la porte avantageuses ?

Ce module IGBT présente une charge de grille de 1,25μC, ce qui permet des temps de commutation rapides, facilitant les opérations à haute fréquence essentielles dans les applications industrielles modernes. Il prend également en charge des tensions d'émetteur de grille de ±20V pour un conditionnement flexible de l'entraînement.

Ce produit est-il adapté à l'électronique de puissance dans les applications automobiles ?

En effet, ses spécifications robustes et sa fiabilité en font une option viable pour l'électronique de puissance dans les systèmes automobiles où l'efficacité et la fiabilité sont primordiales.