Module IGBT, FF150R12RT4HOSA1, , 150 A, 1200 V, AG-34MM-1, Série

Ce module IGBT est conçu pour les applications de commutation à haute fréquence, combinant efficacement deux transistors en configuration série. Il fonctionne efficacement dans une plage de températures allant de -40°C à +150°C. Avec un boîtier compact de 94 x 34 x 30,2 mm, ce module est idéal pour l'intégration dans divers systèmes industriels.

• Le courant de collecteur continu maximum de 150A garantit des performances fiables
• La tension collecteur-émetteur supporte jusqu'à 1200V pour une utilisation robuste
• Les faibles pertes de commutation améliorent l'efficacité énergétique globale
• La plaque de base isolée améliore la gestion thermique et la fiabilité
• Le type de boîtier AG-34MM-1 simplifie l'installation dans les configurations montées sur panneau

• Convient aux entraînements motorisés dans les systèmes d'automatisation
• Utilisé dans les alimentations sans interruption pour une plus grande fiabilité
• Efficace dans les changements à haute fréquence d'une industrie à l'autre
• Utile dans les convertisseurs électroniques de puissance pour un fonctionnement sans faille
• Fonctionne bien en conjonction avec les cadres d'automatisation industrielle

Le module présente une résistance thermique de 0,19 K/W entre la jonction et le boîtier, ce qui est essentiel pour maintenir l'efficacité opérationnelle. Il supporte également des cycles de puissance importants avec 300 000 cycles spécifiés à une température de jonction de 125°C et un différentiel de température de 50K.

Il fonctionne efficacement à une température de jonction maximale de 150°C, ce qui garantit sa durabilité dans les applications exigeantes tout en maintenant un faible VCEsat, qui est encore amélioré par un coefficient de température positif pour des performances stables.

Ce module IGBT présente une charge de grille de 1,25μC, ce qui permet des temps de commutation rapides, facilitant les opérations à haute fréquence essentielles dans les applications industrielles modernes. Il prend également en charge des tensions d'émetteur de grille de ±20V pour un conditionnement flexible de l'entraînement.

En effet, ses spécifications robustes et sa fiabilité en font une option viable pour l'électronique de puissance dans les systèmes automobiles où l'efficacité et la fiabilité sont primordiales.

IGBT Discretes et modules, Infineon

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.