Module IGBT Non IXYSCanal-Type N, 360 A, 1200 V, 11 broches, SimBus F Montage sur circuit imprimé 2
- Code commande RS:
- 124-0710
- Référence fabricant:
- MIXA225PF1200TSF
- Marque:
- IXYS
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 127,21 € |
| 5 - 9 | 123,90 € |
| 10 - 24 | 120,71 € |
| 25 + | 117,68 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-0710
- Référence fabricant:
- MIXA225PF1200TSF
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 360A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1100W | |
| Type de Boitier | SimBus F | |
| Type de montage | Montage sur circuit imprimé | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 11 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.8V | |
| Température minimum de fonctionnement | 150°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±30 V | |
| Température d'utilisation maximum | -40°C | |
| Hauteur | 17mm | |
| Longueur | 152mm | |
| Série | MIXA225PF1200TSF | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 360A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1100W | ||
Type de Boitier SimBus F | ||
Type de montage Montage sur circuit imprimé | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 11 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.8V | ||
Température minimum de fonctionnement 150°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±30 V | ||
Température d'utilisation maximum -40°C | ||
Hauteur 17mm | ||
Longueur 152mm | ||
Série MIXA225PF1200TSF | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Modules IGBT, IXYS
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
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