Module IGBT, MIXA450PF1200TSF, , 650 A, 1200 V, SimBus F, 11 broches, Série

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Code commande RS:
124-0712
Référence fabricant:
MIXA450PF1200TSF
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Courant continu de Collecteur maximum

650 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1200 V

Tension Grille Emetteur maximum

±30V

Dissipation de puissance maximum

2,1 kW

Type de boîtier

SimBus F

Configuration

Double

Type de montage

Montage sur CI

Type de canal

N

Nombre de broches

11

Configuration du transistor

Série

Dimensions

152 x 62 x 17mm

Température d'utilisation maximum

+150 °C

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Modules IGBT, IXYS



IGBT Discretes et modules, IXYS


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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