Module IGBT XPT Non IXYSCanal-Type N, 450 A, 1200 V 85 ns, 11 broches, SimBus F Circuit imprimé 2
- Code commande RS:
- 146-1703
- Référence fabricant:
- MIXA450PF1200TSF
- Marque:
- IXYS
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 146-1703
- Référence fabricant:
- MIXA450PF1200TSF
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 450A | |
| Type de produit | Module IGBT XPT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2100W | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Type de Boitier | SimBus F | |
| Type de montage | Circuit imprimé | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 11 | |
| Vitesse de découpage | 85ns | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.8V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | IEC 60747, RoHS | |
| Série | MIXA450PF1200TSF | |
| Longueur | 152mm | |
| Hauteur | 17mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 450A | ||
Type de produit Module IGBT XPT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2100W | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Type de Boitier SimBus F | ||
Type de montage Circuit imprimé | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 11 | ||
Vitesse de découpage 85ns | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.8V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations IEC 60747, RoHS | ||
Série MIXA450PF1200TSF | ||
Longueur 152mm | ||
Hauteur 17mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Modules IGBT, IXYS
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
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